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机译:一种新的结终端技术:深沟道终端(DT2)
L. Théolier; H. Mahfoz-kotb; K. Isoird; F. Morancho;
机译:深沟槽终端(DT2)二极管中的老化机制
机译:使用苯并环丁烯作为介电材料的深沟槽终端DT2工艺过程后的机械应力研究
机译:用于超结MOSFET的深氧化物沟槽终端结构
机译:一种新的结终止技术:深沟终止(DT 2 sup>)
机译:结局终端结构的二维器件模拟确定击穿行为的确定
机译:两种独立的制图技术可确定持续性心房颤动期间局部终止部位的旋转活动模式
机译:一种新的结点终止技术:深沟终止(DT²)
机译:垂直沟槽门MOSFET,带深井区域的结终止
机译:具有深阱区的垂直沟槽栅极MOSFET,用于结点终止
机译:电缆结,端接或交叉连接机构以及提供电缆结,端接或交叉连接机构的方法
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